APT10050B2VFRG詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 1000V 21A T-MAX
- 系列：POWER MOS V®
- 制造商：Microsemi Power Products Group
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：1000V（1kV）
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：21A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：500 毫歐 @ 500mA，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 2.5mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：500nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：7900pF @ 25V
- 功率_最大：520W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-247-3 變式
- 供應商設備封裝：T-MAX? [B2]
- 包裝：管件
APT10050B2VRG詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 1000V 21A T-MAX
- 系列：POWER MOS V®
- 制造商：Microsemi Power Products Group
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：1000V（1kV）
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：21A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：500 毫歐 @ 500mA，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 2.5mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：500nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：7900pF @ 25V
- 功率_最大：520W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-247-3 變式
- 供應商設備封裝：T-MAX? [B2]
- 包裝：管件
APT10050JVFR詳細規格
- 類別：FET
- 描述：MOSFET N-CH 1000V 19A SOT-227
- 系列：POWER MOS V®
- 制造商：Microsemi Power Products Group
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：1000V（1kV）
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：19A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：500 毫歐 @ 500mA，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 2.5mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：500nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：7900pF @ 25V
- 功率_最大：450W
- 安裝類型：底座安裝
- 封裝/外殼：SOT-227-4，miniBLOC
- 供應商設備封裝：ISOTOP?
- 包裝：管件
APT10050JVR詳細規格
- 類別：FET
- 描述：MOSFET N-CH 1000V 19A SOT-227
- 系列：POWER MOS V®
- 制造商：Microsemi Power Products Group
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：1000V（1kV）
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：19A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：500 毫歐 @ 500mA，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 2.5mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：500nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：7900pF @ 25V
- 功率_最大：450W
- 安裝類型：底座安裝
- 封裝/外殼：SOT-227-4，miniBLOC
- 供應商設備封裝：ISOTOP?
- 包裝：管件
APT10050LVFRG詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 1000V 21A TO-264
- 系列：POWER MOS V®
- 制造商：Microsemi Power Products Group
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：1000V（1kV）
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：21A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：500 毫歐 @ 500mA，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 2.5mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：500nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：7900pF @ 25V
- 功率_最大：520W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-264-3，TO-264AA
- 供應商設備封裝：TO-264 [L]
- 包裝：管件
APT10050LVRG詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 1000V 21A TO-264
- 系列：POWER MOS V®
- 制造商：Microsemi Power Products Group
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：1000V（1kV）
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：21A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：500 毫歐 @ 500mA，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 2.5mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：500nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：7900pF @ 25V
- 功率_最大：520W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-264-3，TO-264AA
- 供應商設備封裝：TO-264 [L]
- 包裝：管件
- 其它 International Rectifier TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N/P-CH 30V 6.5A 8SOIC
- 配件 Honeywell Sensing and Control TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 RECT 1/2 COVER FOR PADDLE SWES
- 矩形- 接頭，公引腳 TE Connectivity TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 CONN HEADER BRKWAY .100 4POS VER
- 二極管/齊納陣列 Diodes Inc TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE ZENER DUAL 12V SOT23-3
- FET Microsemi Power Products Group SOT-227-4，miniBLOC MOSFET N-CH 1000V 19A SOT-227
- 功率 Pulse Electronics Corporation SOT-227-4，miniBLOC TRANSFORMER 230V 2X9V 2VA
- 其它 International Rectifier SOT-227-4，miniBLOC MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC
- 矩形- 接頭，公引腳 TE Connectivity SOT-227-4，miniBLOC CONN HEADER BRKWAY .100 18POS VE
- 配件 Honeywell Sensing and Control SOT-227-4，miniBLOC RECT 1/2 COVER FOR PADDLE SWES
- 其它 International Rectifier TO-264-3，TO-264AA MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC
- 功率 Pulse Electronics Corporation TO-264-3，TO-264AA TRANSFORMER 230V 2X24V 2.3VA
- 矩形- 接頭，公引腳 TE Connectivity TO-264-3，TO-264AA CONN HEADER BRKWAY 12POS DL .100
- 配件 Honeywell Sensing and Control TO-264-3，TO-264AA RECT 1/2 COVER FOR PADDLE SWES
- 二極管/齊納陣列 Diodes Inc TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE ZENER DUAL 15V SOT23-3
- FET - 單 Microsemi Power Products Group TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA MOSFET N-CH 1000V 12A D3PAK
18301798078 
0755-83222787 
