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7-1879688-1 全國供應商、價格、PDF資料
7-1879688-1詳細規格
- 類別：通孔電阻器
- 描述：RES 576 OHM 1/2W 0.1% AXIAL
- 系列：H4, Holsworthy
- 制造商：TE Connectivity
- 電阻333Ω444：576
- 功率333W444：0.5W，1/2W
- 成分：金屬薄膜
- 特性：脈沖耐受
- 溫度系數：±100ppm/°C
- 容差：±0.1%
- 封裝/外殼：軸向
- 供應商器件封裝：軸向
- 大小/尺寸：0.146" 直徑 x 0.394" L（3.70mm x 10.00mm）
- 高度：-
- 端子數：2
- 包裝：散裝
- 陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 0.015UF 25V 5% X7R 0805
- 電容器 EPCOS Inc 4700UF 80V 35X40 SNAP IN
- 陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 3.9PF 50V NP0 0805
- 通孔電阻器 TE Connectivity 軸向 RES 52.3 OHM 1/2W 0.1% AXIAL
- PMIC - 電池管理 Texas Instruments 6-WDFN 裸露焊盤 IC BATT/PROT 2-3CELL LIION 6SON
- 薄膜 Vishay BC Components 徑向 CAP FILM 0.022UF 2KVDC RADIAL
- FET - 單 Infineon Technologies TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
- 陶瓷 Kemet 徑向 CAP CER 22PF 200V 5% RADIAL
- 陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 0.015UF 50V 5% X7R 0805
- 陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 3.9PF 50V NP0 0805
- PMIC - 電池管理 Texas Instruments 8-WFDFN 裸露焊盤 IC BATT PROT 2-4CELL LIION 8WSON
- 薄膜 Vishay BC Components 徑向 CAP FILM 2400PF 2KVDC RADIAL
- 陶瓷 Kemet 徑向 CAP CER 2200PF 100V 5% RADIAL
- FET - 單 Infineon Technologies TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
- 電容器 EPCOS Inc 2200UF 100V 30X40 SNAP IN
