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3MN03SF-TL-E 全國供應商、價格、PDF資料

3MN03SF-TL-E詳細規格: 類別：RF 晶體管 (BJT); 描述：TRANS NPN 20V 30MA 3SSFP; 系列：-; 制造商：SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation; 晶體管類型：NPN; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：20V; 頻率_轉換：320MHz; 噪聲系數（dB典型值0a0頻率）：3dB @ 100MHz; 增益：-; 功率_最大：150mW; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：60 @ 1mA，6V; 電流_集電極333Ic444（最大）：30mA; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：3-SMD，扁平引線; 供應商設備封裝：3-SSFP; 包裝：剪切帶 (CT)

3MN03SF-TL-E詳細規格: 類別：RF 晶體管 (BJT); 描述：TRANS NPN 20V 30MA 3SSFP; 系列：-; 制造商：SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation; 晶體管類型：NPN; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：20V; 頻率_轉換：320MHz; 噪聲系數（dB典型值0a0頻率）：3dB @ 100MHz; 增益：-; 功率_最大：150mW; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：60 @ 1mA，6V; 電流_集電極333Ic444（最大）：30mA; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：3-SMD，扁平引線; 供應商設備封裝：3-SSFP; 包裝：Digi-Reel®

3MN03SF-TL-E詳細規格: 類別：RF 晶體管 (BJT); 描述：TRANS NPN 20V 30MA 3SSFP; 系列：-; 制造商：SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation; 晶體管類型：NPN; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：20V; 頻率_轉換：320MHz; 噪聲系數（dB典型值0a0頻率）：3dB @ 100MHz; 增益：-; 功率_最大：150mW; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：60 @ 1mA，6V; 電流_集電極333Ic444（最大）：30mA; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：3-SMD，扁平引線; 供應商設備封裝：3-SSFP; 包裝：帶卷 (TR)

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4023
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