2SK2610詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 900V 5A TO-3PN
- 系列：-
- 制造商：Toshiba
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：900V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.5 歐姆 @ 3A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1200pF @ 25V
- 功率_最大：150W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-3P-3，SC-65-3
- 供應商設備封裝：TO-3P（N）
- 包裝：管件
2SK2610(F,T)詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 900V 5A TO-3PN
- 系列：-
- 制造商：Toshiba
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：900V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.5 歐姆 @ 3A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1200pF @ 25V
- 功率_最大：150W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-3P-3，SC-65-3
- 供應商設備封裝：TO-3P（N）
- 包裝：管件
2SK2613詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 1KV 8A TO-3PN
- 系列：-
- 制造商：Toshiba
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：1000V（1kV）
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.7 歐姆 @ 4A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：65nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2000pF @ 25V
- 功率_最大：150W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-3P-3，SC-65-3
- 供應商設備封裝：TO-3P（N）
- 包裝：管件
2SK2613(F)詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 1KV 8A TO-3PN
- 系列：-
- 制造商：Toshiba
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：1000V（1kV）
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.7 歐姆 @ 4A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：65nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2000pF @ 25V
- 功率_最大：150W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-3P-3，SC-65-3
- 供應商設備封裝：TO-3P（N）
- 包裝：管件
2SK2614詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 50V 20A PW-MOLD
- 系列：-
- 制造商：Toshiba
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：50V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：20A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：46 毫歐 @ 10A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：900pF @ 10V
- 功率_最大：40W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：PW-MOLD
- 包裝：散裝
2SK2614(Q)詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 50V 20A PW-MOLD
- 系列：-
- 制造商：Toshiba
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：50V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：20A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：46 毫歐 @ 10A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：900pF @ 10V
- 功率_最大：40W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：PW-MOLD
- 包裝：管件
- 撥動開關 APEM Components, LLC 徑向 SWITCH TOGGLE MINI
- 保險絲 - 電氣，特制 Littelfuse Inc 盒，非標準 FUSE M/V E-RATED 400E 8.25KV
- FET - 單 Toshiba TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 100V 20A TO220NIS
- 矩形- 接頭，插座，母插口 Mill-Max Manufacturing Corp. TO-220-3 整包 CONN SOCKET STRIP 45POS GOLD
- 撥動開關 Grayhill Inc TO-220-3 整包 TOG SMIN SPDT O-N-O N RAV LF
- 電容器 Rubycon CAP ALUM 10UF 35V 20% RADIAL
- 多芯導線 Alpha Wire 3500/25C SLATE 1000 FT
- PTC 可復位保險絲 Littelfuse Inc 徑向 PTC RESETTABLE 30V 7A KINK AMMO
- 電容器 Rubycon CAP ALUM 120UF 400V 20% SNAP-IN
- 撥動開關 Grayhill Inc TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 TOG SMIN SPDT O-N-O T SL LF
- 矩形- 接頭，插座，母插口 Mill-Max Manufacturing Corp. TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 CONN SOCKET STRIP 58POS GOLD
- PTC 可復位保險絲 Littelfuse Inc 徑向 PTC 9.00A 30V RESETTABLE KINK
- 溫度調節器 Honeywell Sensing and Control MILITARY THERMOSTAT
- 電容器 Rubycon CAP ALUM 4.7UF 35V 20% RADIAL
- 撥動開關 APEM Components, LLC SWITCH TOGGLE MINI
0755-83200050 
