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2SK2311(TE24L,Q)詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 25A TO220SM; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：25A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：46 毫歐 @ 12A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1000pF @ 10V; 功率_最大：40W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220SM; 包裝：帶卷 (TR)

2SK2311(TE24R)詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 25A TO220SM; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：25A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：46 毫歐 @ 12A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1000pF @ 10V; 功率_最大：40W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220SM; 包裝：帶卷 (TR)

2SK2311(TE24R,Q)詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 25A TO220SM; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：25A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：46 毫歐 @ 12A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1000pF @ 10V; 功率_最大：40W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220SM; 包裝：帶卷 (TR)

2SK2312詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 45A TO220NIS; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：45A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：17 毫歐 @ 25A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3350pF @ 10V; 功率_最大：45W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3 整包; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220NIS; 包裝：管件

2SK2312(F)詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 45A TO220NIS; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：45A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：17 毫歐 @ 25A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3350pF @ 10V; 功率_最大：45W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3 整包; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220NIS; 包裝：管件

2SK2313詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 60A TO-3PN; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：60A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 30A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：170nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5400pF @ 10V; 功率_最大：150W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-3P-3，SC-65-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-3P（N）; 包裝：管件

325245-10-0
接線座 - 隔板塊 Curtis Industries TO-220-3 整包 TERM BARRIER 10CIRC SGL ROW .325
2SA10960Q
晶體管(BJT) - 單路 Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products TO-225AA，TO-126-3 TRANS PNP 50VCEO 2A TO-126
2SK2312(F)
FET - 單 Toshiba TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 60V 45A TO220NIS
3G3AX-FIM2000-RE
配件 Omron Electronics Inc-IA Div TO-220-3 整包 3G3MX2 EMC FILTER,3G3MX2-A2150
1PH12P18MM
配件 Littelfuse Inc TO-220-3 整包 BUSBAR 1 PHASE 12 POLE 18X208MM
4120
配件 Chicago Miniature Lighting, LLC TO-220-3 整包 SOCKET FOR INCANDESCANT LED
2SK4094
FET - 單 SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
2-647402-1
矩形 - 外殼 TE Connectivity TO-220-3 21P SL156 HSG W/RMP&TABS,OVSZ
325245-19-0
接線座 - 隔板塊 Curtis Industries TO-220-3 TERM BARRIER 19CIRC SGL ROW .325
1PH12P18MM
配件 Littelfuse Inc TO-3P-3，SC-65-3 BUSBAR 1 PHASE 12 POLE 18X208MM
3G3AX-FIM2000-RE
配件 Omron Electronics Inc-IA Div TO-3P-3，SC-65-3 3G3MX2 EMC FILTER,3G3MX2-A2150
2SK4181-TL-E
FET - 單 SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 3-SMD，扁平引線 MOSFET N-CH 525V 7.5A ZP
4120-1110-06-B
系列間適配器電纜 3M 3-SMD，扁平引線 CABLE ASSY MDR 25POS M-M 6FT
2-647402-2
矩形 - 外殼 TE Connectivity 3-SMD，扁平引線 22P SL156 HSG W/RMP&TABS,OVSZ
325248-04-0
接線座 - 隔板塊 Curtis Industries 3-SMD，扁平引線 TERM BARRIER 4CIRC SGL ROW .325

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