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2SD1758TLP詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR NPN 32V 2A SOT-428 TR; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：2A; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：32V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：800mV @ 200mA，2A; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：82 @ 500mA，3V; 功率_最大：10W; 頻率_轉換：100MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：CPT3; 包裝：帶卷 (TR)

2SD1758TLQ詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS NPN 32V 2A SOT-428; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：2A; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：32V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：800mV @ 200mA，2A; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：120 @ 500mA，3V; 功率_最大：10W; 頻率_轉換：100MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：CPT3; 包裝：Digi-Reel®

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2SD1758TLQ詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS NPN 32V 2A SOT-428; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：2A; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：32V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：800mV @ 200mA，2A; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：120 @ 500mA，3V; 功率_最大：10W; 頻率_轉換：100MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：CPT3; 包裝：剪切帶 (CT)

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2SD1758TLR詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS NPN 32V 2A SOT-428; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：2A; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：32V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：800mV @ 200mA，2A; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：180 @ 500mA，3V; 功率_最大：10W; 頻率_轉換：100MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：CPT3; 包裝：剪切帶 (CT)

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