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2SA212 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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2SA2120-O(Q)詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR PNP 200V 12A TO-3PN
系列:-
制造商:Toshiba
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):12A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):200V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):3V @ 800mA,8A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:80 @ 1A,5V
功率_最大:200W
頻率_轉換:25MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3
供應商設備封裝:TO-3P(N)
包裝:散裝

2SA2121-O(Q)詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR PNP 200V 15A TO-3PL
系列:-
制造商:Toshiba
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):15A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):200V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):3V @ 1A,10A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:80 @ 1A,5V
功率_最大:220W
頻率_轉換:25MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-3PL
供應商設備封裝:TO-3P(L)
包裝:散裝

2SA2124-TD-E詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP BIPO 2A 30V SOT89-3
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):2A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):30V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):400mV @ 75mA,1.5A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:200 @ 100mA,5V
功率_最大:1.3W
頻率_轉換:440MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-243AA
供應商設備封裝:PCP
包裝:帶卷 (TR)

2SA2125-TD-E詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP BIPOLAR 50V 3A PCP
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):3A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 100mA,2A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:200 @ 100mA,2V
功率_最大:1.3W
頻率_轉換:390MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-243AA
供應商設備封裝:PCP
包裝:帶卷 (TR)

2SA2125-TD-H詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP BIPOLAR 50V 3A PCP
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):3A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 100mA,2A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:200 @ 100mA,2V
功率_最大:1.3W
頻率_轉換:390MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-243AA
供應商設備封裝:PCP
包裝:帶卷 (TR)

2SA2126-E詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP BIPOLAR 50V 3A TP-FA
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):3A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):520mV @ 100mA,2A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:200 @ 100mA,2V
功率_最大:800mW
頻率_轉換:390MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA
供應商設備封裝:TP
包裝:散裝

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