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2SA1815-4-TB-E 全國供應商、價格、PDF資料

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2SA1815-4-TB-E詳細規格: 類別：RF 晶體管 (BJT); 描述：TRANS PNP 12V 50MA 3CP; 系列：-; 制造商：SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation; 晶體管類型：PNP; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：12V; 頻率_轉換：750MHz; 噪聲系數（dB典型值0a0頻率）：-; 增益：25dB; 功率_最大：250mW; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：90 @ 5mA，10V; 電流_集電極333Ic444（最大）：50mA; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：3-CP; 包裝：Digi-Reel®

2SA1815-4-TB-E詳細規格: 類別：RF 晶體管 (BJT); 描述：TRANS PNP 12V 50MA 3CP; 系列：-; 制造商：SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation; 晶體管類型：PNP; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：12V; 頻率_轉換：750MHz; 噪聲系數（dB典型值0a0頻率）：-; 增益：25dB; 功率_最大：250mW; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：90 @ 5mA，10V; 電流_集電極333Ic444（最大）：50mA; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：3-CP; 包裝：剪切帶 (CT)

2SA1815-4-TB-E詳細規格: 類別：RF 晶體管 (BJT); 描述：TRANS PNP 12V 50MA 3CP; 系列：-; 制造商：SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation; 晶體管類型：PNP; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：12V; 頻率_轉換：750MHz; 噪聲系數（dB典型值0a0頻率）：-; 增益：25dB; 功率_最大：250mW; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：90 @ 5mA，10V; 電流_集電極333Ic444（最大）：50mA; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：3-CP; 包裝：帶卷 (TR)

2SA1815-4-TB-E供應商

2SA1815-4-TB-E 德國顯周集團有限公司 13910052844（微
2SA1815-4-TB-E 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司 0755-23607529

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